在本研究中，使用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）（* 2）在Si襯底上制造了高質量的GaN外延膜，以制造GaN諧振器。提出了應變工程以改善時間性能。通過利用GaN和Si襯底之間的晶格失配和熱失配來實現(xiàn)應變。因此，無需任何應變去除層即可直接在Si上生長GaN。通過優(yōu)化MOCVD生長過程中的降溫方法，在GaN上沒有觀察到裂紋，其晶體質量與使用超晶格應變去除層的常規(guī)方法所獲得的晶體質量相當。